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IRLR/U3715PbF
10000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
14
12
I D = 21A
V DS = 16V
V DS = 10V
1000
Ciss
10
Coss
8
100
Crss
6
4
2
10
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
0
0
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
5 10       15       20       25
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100
10
T J = 175 ° C
100
100μsec
1
T J = 25 ° C
10
Tc = 25°C
1msec
10msec
Tj = 175°C
0.1
0.0
V GS = 0 V
0.4     0.8     1.2     1.6     2.0     2.4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
1
1
Single Pulse
10
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
100
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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